Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > ALD111933PAL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1636753ALD111933PAL attēlsAdvanced Linear Devices, Inc.

ALD111933PAL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
50+
$2.82
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ALD111933PAL
  • Ražotājs / zīmols
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ALD111933PAL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.35V @ 1µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-PDIP
  • Sērija
    EPAD®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 5.9V
  • Jauda - maks
    500mW
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Citi vārdi
    1014-1051
  • Darbības temperatūra
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    -
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    10.6V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10.6V 500mW Through Hole 8-PDIP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ALD111933PAL” saistītie produkti.
ALD114804SCL

ALD114804SCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1117SAL

ALD1117SAL

Apraksts: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1115SAL

ALD1115SAL

Apraksts: MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD112

ALD112

Apraksts: RELAY GEN PURPOSE SPST 3A 12V

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
ALD114804ASCL

ALD114804ASCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD111910SAL

ALD111910SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1115PAL

ALD1115PAL

Apraksts: MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1117PAL

ALD1117PAL

Apraksts: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD114813PCL

ALD114813PCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD111933SAL

ALD111933SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD114804APCL

ALD114804APCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD114835SCL

ALD114835SCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1116PAL

ALD1116PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD111933MAL

ALD111933MAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8MSOP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD114813SCL

ALD114813SCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD111910PAL

ALD111910PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1116SAL

ALD1116SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD114804PCL

ALD114804PCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD114835PCL

ALD114835PCL

Apraksts: MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD111910MAL

ALD111910MAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8MSOP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.