Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > ALD1110EPAL
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1402997ALD1110EPAL attēlsAdvanced Linear Devices, Inc.

ALD1110EPAL

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
50+
$4.373
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    ALD1110EPAL
  • Ražotājs / zīmols
    Advanced Linear Devices, Inc.
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2N-CH 10V 8DIP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    ALD1110EPAL.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.01V @ 1µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-PDIP
  • Sērija
    EPAD®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    500 Ohm @ 5V
  • Jauda - maks
    600mW
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Darbības temperatūra
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2.5pF @ 5V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    -
  • FET tips
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • FET iezīme
    Standard
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    10V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Through Hole 8-PDIP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    -

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “ALD1110EPAL” saistītie produkti.
ALD110914PAL

ALD110914PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110914SAL

ALD110914SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1116SAL

ALD1116SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1117PAL

ALD1117PAL

Apraksts: MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110908APAL

ALD110908APAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110904PAL

ALD110904PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110904SAL

ALD110904SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1115PAL

ALD1115PAL

Apraksts: MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110902SAL

ALD110902SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD111910PAL

ALD111910PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110908ASAL

ALD110908ASAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1115MAL

ALD1115MAL

Apraksts: MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110902PAL

ALD110902PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD111910MAL

ALD111910MAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 8MSOP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110908PAL

ALD110908PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1115SAL

ALD1115SAL

Apraksts: MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD110908SAL

ALD110908SAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1117SAL

ALD1117SAL

Apraksts: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1110ESAL

ALD1110ESAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
ALD1116PAL

ALD1116PAL

Apraksts: MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP

Ražotāji: Advanced Linear Devices, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.