Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - bipolāri (BJT) - vieni > S1JVNJD2873T4G

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4925763

S1JVNJD2873T4G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.31

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

S1JVNJD2873T4G
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANSISTOR PNP BIPO
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
ECAD modelis
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A
Tranzistora tips

NPN
Piegādātāja ierīču komplekts

DPAK
Sērija

-
Jauda - maks

1.68W
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Darbības temperatūra

-65°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

14 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

65MHz
Detalizēts apraksts

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 2A 65MHz 1.68W Surface Mount DPAK
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

100nA (ICBO)
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

2A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “S1JVNJD2873T4G” saistītie produkti.

S1JLS RVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JMHRSG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHMHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHRHG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JTR

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

Noliktavā

S1JLHRUG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHRTG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JL RVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLWHRVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHRQG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHRVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLSHRVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.2A SOD123

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHMTG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHMQG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JM RSG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHRFG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JL RUG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

S1JLW RVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123W

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.