Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > NVE4153NT1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1911418NVE4153NT1G attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVE4153NT1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.179
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NVE4153NT1G
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NVE4153NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SC-89
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    230 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    300mW (Tj)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SC-89, SOT-490
  • Citi vārdi
    NVE4153NT1GOSTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    18 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    110pF @ 16V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1.82nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    915mA (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NVE4153NT1G” saistītie produkti.
AON6566P

AON6566P

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 27A DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
PSMN012-100YLX

PSMN012-100YLX

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
IRF520NSPBF

IRF520NSPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRF1503SPBF

IRF1503SPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
AON6510

AON6510

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
BSS7728N

BSS7728N

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRF610LPBF

IRF610LPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RSM002P03T2L

RSM002P03T2L

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI1405DL-T1-GE3

SI1405DL-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SS05N70AKMA1

SS05N70AKMA1

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXTP80N10T

IXTP80N10T

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FDBL0110N60

FDBL0110N60

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 300A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
PSMN017-80PS,127

PSMN017-80PS,127

Apraksts: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IXFE39N90

IXFE39N90

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FQI9N50CTU

FQI9N50CTU

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTMFS5C460NLT1G

NTMFS5C460NLT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.