Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > NVB25P06T4G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4362946NVB25P06T4G attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB25P06T4G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$1.236
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NVB25P06T4G
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NVB25P06T4G.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D2PAK
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    82 mOhm @ 25A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    120W (Tj)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    NVB25P06T4G-ND
    NVB25P06T4GOSTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1680pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    50nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 60V 27.5A (Ta) 120W (Tj) Surface Mount D2PAK
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    27.5A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NVB25P06T4G” saistītie produkti.
NVB6412ANT4G

NVB6412ANT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NVB5404NT4G

NVB5404NT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NVBP

NVBP

Apraksts: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Ražotāji: Panduit
Noliktavā
RFQ
NVB5860NLT4G

NVB5860NLT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPB100N06S2L05ATMA1

IPB100N06S2L05ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BFL4026-1E

BFL4026-1E

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 3.5A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
AOTF11C60P

AOTF11C60P

Apraksts: MOSFET N-CH

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI3434DV-T1-GE3

SI3434DV-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NVB6410ANT4G

NVB6410ANT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STW13NK50Z

STW13NK50Z

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 11A TO-247

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
HUF75542P3

HUF75542P3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NVB5426NT4G

NVB5426NT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
STD150NH02LT4

STD150NH02LT4

Apraksts: MOSFET N-CH 24V 150A DPAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
NVB5860NT4G

NVB5860NT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STL4LN80K5

STL4LN80K5

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.