Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > NTGD4167CT1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5880971

NTGD4167CT1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.53
10+
$0.444
100+
$0.333
500+
$0.244
1000+
$0.189
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NTGD4167CT1G
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NTGD4167CT1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-TSOP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Jauda - maks
    900mW
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Citi vārdi
    NTGD4167CT1GOSCT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    30 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    295pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    5.5nC @ 4.5V
  • FET tips
    N and P-Channel
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.6A, 1.9A 900mW Surface Mount 6-TSOP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.6A, 1.9A
  • Bāzes daļas numurs
    NTGD4167C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NTGD4167CT1G” saistītie produkti.
NTGD3148NT1G

NTGD3148NT1G

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3443T2G

NTGS3443T2G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3441T1

NTGS3441T1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS1135PT1G

NTGS1135PT1G

Apraksts: MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G

Apraksts: MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3433T1G

NTGS3433T1G

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3441BT1G

NTGS3441BT1G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3441PT1G

NTGS3441PT1G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3443BT1G

NTGS3443BT1G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGD1100LT1

NTGD1100LT1

Apraksts: MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGD3149CT1G

NTGD3149CT1G

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3130NT1G

NTGS3130NT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3443T1

NTGS3443T1

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3443T1G

NTGS3443T1G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGD3147FT1G

NTGD3147FT1G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTGS3441T1G

NTGS3441T1G

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.