Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > NSVB1706DMW5T1G

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

771833

NSVB1706DMW5T1G attēls

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVB1706DMW5T1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

6000+

$0.079

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

NSVB1706DMW5T1G
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC88-A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

NSVB1706DMW5T1G.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA
Tranzistora tips

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Piegādātāja ierīču komplekts

SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

47 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

4.7 kOhms
Jauda - maks

250mW
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

4 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

-
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88A (SC-70-5/SOT-353)
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

500nA
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “NSVB1706DMW5T1G” saistītie produkti.

NSVBAS16TT1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVB114YPDXV6T1G

NSVB114YPDXV6T1G

Apraksts: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSV60600MZ4T3G

Apraksts: TRANS PNP 60V 6A SOT223-4

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSV60601MZ4T3G

Apraksts: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBAS21AHT1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVB143TPDXV6T1G

NSVB143TPDXV6T1G

Apraksts: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBAS16WT3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVB124XPDXV6T1G

NSVB124XPDXV6T1G

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBAS20LT3G

Apraksts: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBAS19LT1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBAS21HT3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBAS21HT1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

Apraksts: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSV60601MZ4T1G

Apraksts: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-4

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBA114YDXV6T1G

NSVBA114YDXV6T1G

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSV9435T1G

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVB144EPDXV6T1G

NSVB144EPDXV6T1G

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSVBAS116LT3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.