Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > NSB13211DW6T1G

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

4762139

NSB13211DW6T1G attēls

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB13211DW6T1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

NSB13211DW6T1G
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.23W SC88
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

NSB13211DW6T1G.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 1mA, 10mA
Tranzistora tips

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Piegādātāja ierīču komplekts

SC-88/SC70-6/SOT-363
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

4.7 kOhms, 10 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

4.7 kOhms, 10 kOhms
Jauda - maks

230mW
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

-
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V / 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

500nA
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “NSB13211DW6T1G” saistītie produkti.

NSB8DT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8BT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8BTHE3_A/P

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8DT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB12ANT3G

Apraksts: TVS DIODE 12V 19.9V SMB

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse

Noliktavā

NSB8BTHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8BTHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8AT-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8BTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8ATHE3_A/P

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB1706DMW5T1

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSB8ATHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8BT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8ATHE3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB8DTHE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB4904DW1T1G

Apraksts: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.25W SC88

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSB8ATHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NSB13ANT3G

Apraksts: TVS DIODE 13V 21.5V SMB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSB1706DMW5T1G

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SC70

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NSB8AT-E3/81

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.