Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > NGTG12N60TF1G

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2420735

NGTG12N60TF1G attēls

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$2.17

30+

$1.838

120+

$1.566

510+

$1.286

1020+

$1.066

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

NGTG12N60TF1G
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

IGBT 600V 24A 54W TO-3PF
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

NGTG12N60TF1G.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

600V
Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 12A
Testa stāvoklis

300V, 15A, 30 Ohm, 15V
Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C

55ns/200ns
Pārslēgšanas enerģija

-
Sērija

-
Jauda - maks

54W
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-3P-3 Full Pack
Citi vārdi

NGTG12N60TF1GOS
Darbības temperatūra

150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

6 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades veids

Standard
IGBT tips

-
Vārtu iekasēšana

84nC
Detalizēts apraksts

IGBT 600V 24A 54W Through Hole
Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)

88A
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

24A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “NGTG12N60TF1G” saistītie produkti.

NGTG50N60FLWG

Apraksts: IGBT 600V 50A TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG35N65FL2WG

Apraksts: IGBT 650V 60A 167W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Apraksts: IGBT 1200V 25A TO-247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG15N60S1EG

Apraksts: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Apraksts: IGBT 1200V 15A TO-247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Apraksts: IGBT 1200V 40A TO-247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG30N60FLWG

Apraksts: IGBT 600V 60A 250W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG50N60FWG

Apraksts: IGBT 600V 100A 223W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Apraksts: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

NGTG30N60FWG

Apraksts: IGBT 600V 60A 167W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.