Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > NGD8201NT4G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3333912NGD8201NT4G attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGD8201NT4G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NGD8201NT4G
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 440V 20A 125W DPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NGD8201NT4G.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    440V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    1.9V @ 4.5V, 20A
  • Testa stāvoklis
    300V, 9A, 1 kOhm, 5V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    -/5µs
  • Pārslēgšanas enerģija
    -
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    DPAK
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    125W
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    NGD8201NT4G-ND
    NGD8201NT4GOSTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Logic
  • IGBT tips
    -
  • Detalizēts apraksts
    IGBT 440V 20A 125W Surface Mount DPAK
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    50A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    20A
  • Bāzes daļas numurs
    NGD8201N

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NGD8201NT4G” saistītie produkti.
IRGP4790D-EPBF

IRGP4790D-EPBF

Apraksts: IGBT 650V TO-247

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
RJH65T47DPQ-A0#T0

RJH65T47DPQ-A0#T0

Apraksts: IGBT TRENCH 650V 90A TO247A

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
NGD15N41CLT4

NGD15N41CLT4

Apraksts: IGBT 440V 15A 107W DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGD8205NT4

NGD8205NT4

Apraksts: IGBT 390V 20A 125W DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXGH24N60AU1

IXGH24N60AU1

Apraksts: IGBT 600V 48A 150W TO247AD

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
NGD18N40CLBT4

NGD18N40CLBT4

Apraksts: IGBT 430V 15A 115W DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGD8201NT4

NGD8201NT4

Apraksts: IGBT 440V 20A 125W DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRGS4610DTRRPBF

IRGS4610DTRRPBF

Apraksts: IGBT 600V 16A 77W D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NGD8205NT4G

NGD8205NT4G

Apraksts: IGBT 390V 20A 125W DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGD8209NT4G

NGD8209NT4G

Apraksts: IGBT 410V 12A 125W DPAK-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NGD18N40CLBT4G

NGD18N40CLBT4G

Apraksts: IGBT 430V 15A 115W DPAK

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NGD15N41CLT4G

NGD15N41CLT4G

Apraksts: IGBT 440V 15A 107W DPAK

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NGD15N41ACLT4G

NGD15N41ACLT4G

Apraksts: IGBT 440V 15A 107W DPAK3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NGD8201BNT4G

NGD8201BNT4G

Apraksts: IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NGD8201ANT4G

NGD8201ANT4G

Apraksts: IGBT 440V 20A 125W DPAK

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NGD18N45CLBT4G

NGD18N45CLBT4G

Apraksts: IGBT 450V 18A DPAK

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
NGD8205ANT4G

NGD8205ANT4G

Apraksts: IGBT 390V 20A 125W DPAK-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
HGTP7N60C3D

HGTP7N60C3D

Apraksts: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGD18N40ACLBT4G

NGD18N40ACLBT4G

Apraksts: IGBT 430V 15A 115W DPAK-3

Ražotāji: Hamlin / Littelfuse
Noliktavā
RFQ
AIKW50N65DF5XKSA1

AIKW50N65DF5XKSA1

Apraksts: IC DISCRETE 650V TO247-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.