Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > MVB50P03HDLT4G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1391812

MVB50P03HDLT4G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MVB50P03HDLT4G
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    MVB50P03HDLT4G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D2PAK-3
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 25A, 5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4.9nF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    100nC @ 5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 30V 50A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    50A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MVB50P03HDLT4G” saistītie produkti.
FDD390N15ALZ

FDD390N15ALZ

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQI6N60CTU

FQI6N60CTU

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRLML2030TRPBF

IRLML2030TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IXTK60N50L2

IXTK60N50L2

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 60A TO-264

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRFI644G

IRFI644G

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
NTMFS4C06NT3G

NTMFS4C06NT3G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTMFS4897NFT3G

NTMFS4897NFT3G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V SO-8FL

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NTD4810NH-35G

NTD4810NH-35G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8.6A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSP179H6327XTSA1

BSP179H6327XTSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 0.21A SOT-223

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SPP21N50C3HKSA1

SPP21N50C3HKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXFJ20N85X

IXFJ20N85X

Apraksts: MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
STP180N55F3

STP180N55F3

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
SI2325DS-T1-E3

SI2325DS-T1-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BUZ73AE3046XK

BUZ73AE3046XK

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO-220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
SIR414DP-T1-GE3

SIR414DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IRL1104S

IRL1104S

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
GP2M004A060PG

GP2M004A060PG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP1M012A060H

GP1M012A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
IRFD320

IRFD320

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.