Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > MMBF0201NLT1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4241630MMBF0201NLT1 attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMBF0201NLT1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    MMBF0201NLT1
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svina / RoHS neatbilstību
  • Datu lapas
    MMBF0201NLT1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1 Ohm @ 300mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    225mW (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    MMBF0201NLT1OSCT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    45pF @ 5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 300mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “MMBF0201NLT1” saistītie produkti.
MMBF170LT1

MMBF170LT1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBD914LT1HTSA1

MMBD914LT1HTSA1

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
MMBF170Q-13-F

MMBF170Q-13-F

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.5A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
MMBF102

MMBF102

Apraksts: JFET N-CH 25V 20MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBD914_D87Z

MMBD914_D87Z

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBF170-7-F

MMBF170-7-F

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
MMBD914LT1G

MMBD914LT1G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBD914-TP

MMBD914-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
MMBD914-HE3-18

MMBD914-HE3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
MMBF0201NLT1G

MMBF0201NLT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBF170LT3G

MMBF170LT3G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBD914LT3G

MMBD914LT3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBD914TR

MMBD914TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
MMBD914-HE3-08

MMBD914-HE3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
MMBF170LT1G

MMBF170LT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBD914-G3-18

MMBD914-G3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
MMBF170LT3

MMBF170LT3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MMBF170-7

MMBF170-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
MMBD914LT3HTMA1

MMBD914LT3HTMA1

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
MMBF170

MMBF170

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.