Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > HGTP5N120BND
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5413864

HGTP5N120BND

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$1.82
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    HGTP5N120BND
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.HGTP5N120BND.pdf
    2.HGTP5N120BND.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 5A
  • Testa stāvoklis
    960V, 5A, 25 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    22ns/160ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    450µJ (on), 390µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AB
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    65ns
  • Jauda - maks
    167W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    53nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    40A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    21A

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “HGTP5N120BND” saistītie produkti.
HGTP12N60A4

HGTP12N60A4

Apraksts: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP7N60A4

HGTP7N60A4

Apraksts: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP3N60A4

HGTP3N60A4

Apraksts: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP7N60A4D

HGTP7N60A4D

Apraksts: IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D

Apraksts: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP10N120BN

HGTP10N120BN

Apraksts: IGBT 1200V 35A 298W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP7N60A4-F102

HGTP7N60A4-F102

Apraksts: N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

Apraksts: IGBT 600V 70A 290W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTG40N60A4

HGTG40N60A4

Apraksts: IGBT 600V 75A 625W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP20N60A4

HGTP20N60A4

Apraksts: IGBT 600V 70A 290W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Apraksts: IGBT 600V 54A 167W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTG5N120BND

HGTG5N120BND

Apraksts: IGBT 1200V 21A 167W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP3N60A4D

HGTP3N60A4D

Apraksts: IGBT 600V 17A 70W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP2N120CN

HGTP2N120CN

Apraksts: IGBT 1200V 13A 104W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP12N60C3

HGTP12N60C3

Apraksts: IGBT 600V 24A 104W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTG7N60A4

HGTG7N60A4

Apraksts: IGBT 600V 34A 125W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP7N60C3D

HGTP7N60C3D

Apraksts: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTG30N60C3D

HGTG30N60C3D

Apraksts: IGBT 600V 63A 208W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTP7N60B3D

HGTP7N60B3D

Apraksts: IGBT 600V 14A 60W TO220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTG7N60A4D

HGTG7N60A4D

Apraksts: IGBT 600V 34A 125W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.