Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > HGT1S20N35G3VLS
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5213581HGT1S20N35G3VLS attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S20N35G3VLS

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    HGT1S20N35G3VLS
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 380V 20A 150W TO263AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    HGT1S20N35G3VLS.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    375V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.8V @ 5V, 20A
  • Testa stāvoklis
    300V, 10A, 25 Ohm, 5V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    -/15µs
  • Pārslēgšanas enerģija
    -
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-263AB
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    150W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Darbības temperatūra
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Logic
  • IGBT tips
    -
  • Vārtu iekasēšana
    28.7nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT 375V 20A 150W Surface Mount TO-263AB
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    20A

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “HGT1S20N35G3VLS” saistītie produkti.
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Apraksts: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS

Apraksts: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

Apraksts: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Apraksts: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Apraksts: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

Apraksts: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

Apraksts: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Apraksts: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Apraksts: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Apraksts: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

Apraksts: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1N40N60A4D

HGT1N40N60A4D

Apraksts: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Apraksts: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Apraksts: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Apraksts: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

Apraksts: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Apraksts: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

Apraksts: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Apraksts: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Apraksts: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.