Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Izolatori > Optiski izolatori - tranzistors, fotoelementu izla > H11G2
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2557759

H11G2

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    H11G2
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    H11G2.pdf
  • Spriegums - izlaide (maksimālais)
    80V
  • Spriegums - Izolācija
    5300Vrms
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (tips)
    1.3V
  • Vce Piesātinājums (Max)
    1V
  • Ieslēgt / izslēgt laiku (tipu)
    5µs, 100µs
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    6-DIP
  • Sērija
    -
  • Pieauguma / krituma laiks (veids)
    -
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    6-DIP (0.300", 7.62mm)
  • Izvades veids
    Darlington with Base
  • Citi vārdi
    H11G2GI
    H11G2QT
    H11G2QT-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 100°C
  • Kanālu skaits
    1
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    DC
  • Detalizēts apraksts
    Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP
  • Pašreizējā pārveduma koeficients (min)
    1000% @ 10mA
  • Pašreizējās pārvedumu attiecība (maksimālā)
    -
  • Pašreizējais - izlaide / kanāls
    -
  • Strāva - DC priekšu (ja) (maksimālais)
    60mA

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “H11G2” saistītie produkti.
H11G2SR2M

H11G2SR2M

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G2M

H11G2M

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1SM

H11G1SM

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1TVM

H11G1TVM

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1W

H11G1W

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G2SD

H11G2SD

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G2S

H11G2S

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1SR2VM

H11G1SR2VM

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1S

H11G1S

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1M

H11G1M

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1SD

H11G1SD

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G2M_F132

H11G2M_F132

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G2300W

H11G2300W

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G23S

H11G23S

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G2SM

H11G2SM

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G13S

H11G13S

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G2300

H11G2300

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G23SD

H11G23SD

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G1SR2M

H11G1SR2M

Apraksts: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
H11G13SD

H11G13SD

Apraksts: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.