Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FQD5P10TM
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6101940

FQD5P10TM

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.372
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FQD5P10TM
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.FQD5P10TM.pdf
    2.FQD5P10TM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D-Pak
  • Sērija
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 1.8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta), 25W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    FQD5P10TM-ND
    FQD5P10TM_X
    FQD5P10TMFSTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    6 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    250pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8.2nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 100V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3.6A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FQD5P10TM” saistītie produkti.
FQD6N40TF

FQD6N40TF

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 4.2A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N50TM

FQD5N50TM

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD6N25TF

FQD6N25TF

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N60CTM

FQD5N60CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5P20TM

FQD5P20TM

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N60CTF

FQD5N60CTF

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N50CTM

FQD5N50CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5P10TF

FQD5P10TF

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD6N25TM

FQD6N25TM

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5P20TF

FQD5P20TF

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N50CTF

FQD5N50CTF

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N60CTM-WS

FQD5N60CTM-WS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.8A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N50CTM_F080

FQD5N50CTM_F080

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5P20TM_F080

FQD5P20TM_F080

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N60CTM_F080

FQD5N60CTM_F080

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD5N50TF

FQD5N50TF

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD630TF

FQD630TF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD6N40CTM

FQD6N40CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD6N40CTF

FQD6N40CTF

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD630TM

FQD630TM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.