Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FQD10N20TM
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3017815

FQD10N20TM

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FQD10N20TM
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.FQD10N20TM.pdf
    2.FQD10N20TM.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D-Pak
  • Sērija
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2.5W (Ta), 51W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    670pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    18nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 7.6A (Tc) 2.5W (Ta), 51W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FQD10N20TM” saistītie produkti.
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD10N20LTF

FQD10N20LTF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD10N20LTM

FQD10N20LTM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD10N20TF

FQD10N20TF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD10N20CTF

FQD10N20CTF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD10N20CTM_F080

FQD10N20CTM_F080

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12N20LTF

FQD12N20LTF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12P10TF

FQD12P10TF

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD10N20CTM

FQD10N20CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD11P06TM

FQD11P06TM

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12N20TM

FQD12N20TM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P

Apraksts: NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12N20TF

FQD12N20TF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD11P06TF

FQD11P06TF

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12P10TM

FQD12P10TM

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12N20LTM_SN00173

FQD12N20LTM_SN00173

Apraksts: MOSFET N-CH 200V DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD12P10TM-F085

FQD12P10TM-F085

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.