Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FQB10N60CTM
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
479699FQB10N60CTM attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB10N60CTM

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FQB10N60CTM
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FQB10N60CTM.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    D²PAK (TO-263AB)
  • Sērija
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    730 mOhm @ 4.75A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    3.13W (Ta), 156W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2040pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    57nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FQB10N60CTM” saistītie produkti.
FQB10N50CFTM-WS

FQB10N50CFTM-WS

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB12P20TM

FQB12P20TM

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB11N40TM

FQB11N40TM

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB12N60TM_AM002

FQB12N60TM_AM002

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB10N20TM

FQB10N20TM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB12N60CTM

FQB12N60CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB13N10TM

FQB13N10TM

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB13N10LTM

FQB13N10LTM

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB12N50TM_AM002

FQB12N50TM_AM002

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB13N50CTM

FQB13N50CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB13N06LTM

FQB13N06LTM

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB14N15TM

FQB14N15TM

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB12P10TM

FQB12P10TM

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB13N06TM

FQB13N06TM

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB11N40CTM

FQB11N40CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB10N20CTM

FQB10N20CTM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB14N30TM

FQB14N30TM

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB15P12TM

FQB15P12TM

Apraksts: MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB10N20LTM

FQB10N20LTM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQB11P06TM

FQB11P06TM

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.