Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > FGPF10N60UNDF
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
184229FGPF10N60UNDF attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGPF10N60UNDF

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.11
10+
$1.895
100+
$1.523
500+
$1.252
1000+
$1.037
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FGPF10N60UNDF
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 600V 20A 42W TO-220F
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FGPF10N60UNDF.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    600V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 10A
  • Testa stāvoklis
    400V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    8ns/52.2ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    150µJ (on), 50µJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220F-3
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    37.7ns
  • Jauda - maks
    42W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    37nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 600V 20A 42W Through Hole TO-220F-3
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    30A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    20A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FGPF10N60UNDF” saistītie produkti.
FGPF4565

FGPF4565

Apraksts: IGBT 650V 30W TO-220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGP50C-E3/54

FGP50C-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FGP5N60UFDTU

FGP5N60UFDTU

Apraksts: IGBT 600V 10A 81W TO220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGP50DHE3/54

FGP50DHE3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FGP50D-E3/54

FGP50D-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
FGPF30N30

FGPF30N30

Apraksts: IGBT 300V 46W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGP5N60LS

FGP5N60LS

Apraksts: IGBT 600V 10A 83W TO220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF15N60UNDF

FGPF15N60UNDF

Apraksts: IGBT 600V 30A 42W TO-220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF45N45TTU

FGPF45N45TTU

Apraksts: IGBT 450V 51.6W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF120N30TU

FGPF120N30TU

Apraksts: IGBT 300V 120A 60W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF30N45TTU

FGPF30N45TTU

Apraksts: IGBT 450V 50.4W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF30N30TDTU

FGPF30N30TDTU

Apraksts: IGBT 300V 44.6W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF30N30TTU

FGPF30N30TTU

Apraksts: IGBT 300V 44.6W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF4533

FGPF4533

Apraksts: IGBT 330V 28.4W TO220-3FP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGPF30N30DTU

FGPF30N30DTU

Apraksts: IGBT 300V 46W TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGP50CHE3/73

FGP50CHE3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FGP50CHE3/54

FGP50CHE3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FGP50DHE3/73

FGP50DHE3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FGP50D-E3/73

FGP50D-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 5A GP20

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FGP50C-E3/73

FGP50C-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 5A GP20

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.