Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > FGA6560WDF

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5046219

FGA6560WDF attēls

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA6560WDF

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$5.80

10+

$5.21

450+

$4.05

900+

$3.634

1350+

$3.065

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

FGA6560WDF
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

FGA6560WDF.pdf
ECAD modelis
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

650V
Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A
Testa stāvoklis

400V, 60A, 6 Ohm, 15V
Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C

25.6ns/71ns
Pārslēgšanas enerģija

2.46mJ (on), 520µJ (off)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-3PN
Sērija

-
Reverss atkopšanas laiks (trr)

110ns
Jauda - maks

306W
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-3P-3, SC-65-3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades veids

Standard
IGBT tips

Trench Field Stop
Vārtu iekasēšana

84nC
Detalizēts apraksts

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)

180A
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

120A

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “FGA6560WDF” saistītie produkti.

FGA50N60LS

Apraksts: IGBT 600V 100A 240W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGAF20N60SMD

Apraksts: IGBT 600V 40A 62.5W TO-3PF

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGAF40N60SMD

Apraksts: IGBT 600V 80A 79W TO-3PF

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA6540WDF

Apraksts: IGBT 650V 80A 238W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA6065ADF

Apraksts: IGBT 650V 120A 306W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA50T65SHD

Apraksts: IGBT 650V 100A 319W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA60N60UFDTU

Apraksts: IGBT 600V 120A 298W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA50N100BNTDTU

FGA50N100BNTDTU

Apraksts: IGBT 1000V 50A 156W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA50N100BNTTU

Apraksts: IGBT 1000V 50A 156W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGAF40N60UFDTU

Apraksts: IGBT 600V 40A 100W TO3PF

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA70N30TTU

Apraksts: IGBT 300V 201W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA90N30TU

Apraksts: IGBT 300V 90A 219W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA70N33BTDTU

Apraksts: IGBT 330V 149W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA90N30DTU

Apraksts: IGBT 300V 90A 219W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA90N33ATDTU

Apraksts: IGBT 330V 90A 223W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA50S110P

Apraksts: IGBT 1100V 50A 300W TO3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA6530WDF

Apraksts: IGBT 650V 60A 176W TO3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA60N65SMD

Apraksts: IGBT 650V 120A 600W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA70N30TDTU

Apraksts: IGBT 300V 201W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

FGA90N33ATTU

Apraksts: IGBT 330V 90A 223W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Jaunums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.