Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > FGA25N120ANDTU
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2394168FGA25N120ANDTU attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FGA25N120ANDTU

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FGA25N120ANDTU
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT 1200V 40A 310W TO3P
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FGA25N120ANDTU.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 25A
  • Testa stāvoklis
    600V, 25A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    60ns/170ns
  • Pārslēgšanas enerģija
    4.8mJ (on), 1mJ (off)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-3P
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    350ns
  • Jauda - maks
    310W
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    NPT
  • Vārtu iekasēšana
    200nC
  • Detalizēts apraksts
    IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    75A
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    40A
  • Bāzes daļas numurs
    FGA25N120A

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FGA25N120ANDTU” saistītie produkti.
FGA25N120ANTDTU-F109

FGA25N120ANTDTU-F109

Apraksts: IGBT 1200V 50A 312W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA25N120FTD

FGA25N120FTD

Apraksts: IGBT 1200V 50A 313W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA180N33ATTU

FGA180N33ATTU

Apraksts: IGBT 330V 180A 390W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA25N120ANTU

FGA25N120ANTU

Apraksts: IGBT 1200V 40A 310W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA25S125P-SN00337

FGA25S125P-SN00337

Apraksts: IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA25N120ANTDTU

FGA25N120ANTDTU

Apraksts: IGBT 1200V 50A 312W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA20S140P

FGA20S140P

Apraksts: IGBT 1400V 40A 272W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA30N65SMD

FGA30N65SMD

Apraksts: IGBT 650V 60A 300W TO3P-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA20S125P

FGA20S125P

Apraksts: IGBT 1250V 40A 250W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA25S125P

FGA25S125P

Apraksts: IGBT 1250V 50A 250W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA20S125P-SN00336

FGA20S125P-SN00336

Apraksts: IGBT 1250V 20A 250W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA30N120FTDTU

FGA30N120FTDTU

Apraksts: IGBT 1200V 60A 339W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA15N120FTDTU

FGA15N120FTDTU

Apraksts: IGBT 1200V 30A 220W TO3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA3060ADF

FGA3060ADF

Apraksts: IGBT 600V 60A 176W TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA15S125P

FGA15S125P

Apraksts: IGBT 1250V 30A 136W TO3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA20N120FTDTU

FGA20N120FTDTU

Apraksts: IGBT 1200V 40A 298W TO3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA20S120M

FGA20S120M

Apraksts: IGBT 1200V 40A 348W TO3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA30N60LSDTU

FGA30N60LSDTU

Apraksts: IGBT 600V 60A 480W TO3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA180N30DTU

FGA180N30DTU

Apraksts: IGBT 300V 180A 480W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FGA15N120ANTDTU-F109

FGA15N120ANTDTU-F109

Apraksts: IGBT 1200V 30A 186W TO3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.