Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDV303N_NB9U008
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3842046

FDV303N_NB9U008

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDV303N_NB9U008
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.FDV303N_NB9U008.pdf
    2.FDV303N_NB9U008.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    350mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    50pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    2.3nC @ 4.5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.7V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    25V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    680mA (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDV303N_NB9U008” saistītie produkti.
FDV14-250Q

FDV14-250Q

Apraksts: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDV302P_D87Z

FDV302P_D87Z

Apraksts: MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV14-187Q

FDV14-187Q

Apraksts: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDV302P

FDV302P

Apraksts: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV304P

FDV304P

Apraksts: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV10-250Q

FDV10-250Q

Apraksts: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDVE1040-H-3R3M=P3

FDVE1040-H-3R3M=P3

Apraksts: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD

Ražotāji: Murata Electronics
Noliktavā
RFQ
FDV303N

FDV303N

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV18-250Q

FDV18-250Q

Apraksts: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDV301N

FDV301N

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

Apraksts: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV305N

FDV305N

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003

Apraksts: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV0530-H-2R2M=P3

FDV0530-H-2R2M=P3

Apraksts: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD

Ražotāji: Murata Electronics
Noliktavā
RFQ
FDV304P-D87Z

FDV304P-D87Z

Apraksts: MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV301N_D87Z

FDV301N_D87Z

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDV18-187Q

FDV18-187Q

Apraksts: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDV045P20L

FDV045P20L

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDVE1040-H-4R7M=P3

FDVE1040-H-4R7M=P3

Apraksts: FIXED IND 4.7UH 8A 13.8MOHM SMD

Ražotāji: Murata Electronics
Noliktavā
RFQ
FDV301N-NB9V005

FDV301N-NB9V005

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.