Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDI045N10A-F102
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6440468FDI045N10A-F102 attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDI045N10A-F102

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$4.83
10+
$4.313
100+
$3.536
500+
$2.864
1000+
$2.415
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDI045N10A-F102
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDI045N10A-F102.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    I2PAK (TO-262)
  • Sērija
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.5 mOhm @ 100A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    263W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Citi vārdi
    FDI045N10A_F102
    FDI045N10A_F102-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    5270pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDI045N10A-F102” saistītie produkti.
FDI10-250Q

FDI10-250Q

Apraksts: FM DISCONNECT FULLY NYLON 1=1PC

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDI045N10A

FDI045N10A

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI18-187Q

FDI18-187Q

Apraksts: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDI8441_F085

FDI8441_F085

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI030N06

FDI030N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI8441

FDI8441

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI2532

FDI2532

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI025N06

FDI025N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 265A TO-262

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI33N25TU

FDI33N25TU

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI3632

FDI3632

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI150N10

FDI150N10

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI18-250Q

FDI18-250Q

Apraksts: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.250

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDI14-187Q

FDI14-187Q

Apraksts: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDI14-250C

FDI14-250C

Apraksts: CONN QC RCPT 14-16AWG 0.250

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDI047AN08A0

FDI047AN08A0

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI14-250Q

FDI14-250Q

Apraksts: FM DISCONNECT FULLY NYLON INS

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
FDI040N06

FDI040N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI3652

FDI3652

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDI8442

FDI8442

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 80A TO-262

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.