Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDB3632-F085
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6522704FDB3632-F085 attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB3632-F085

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$2.199
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDB3632-F085
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDB3632-F085.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-263AB
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 80A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    310W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Citi vārdi
    FDB3632-F085TR
    FDB3632_F085
    FDB3632_F085TR
    FDB3632_F085TR-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    6000pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 12A (Ta) 310W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDB3632-F085” saistītie produkti.
FDB3502

FDB3502

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB2614

FDB2614

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB2670

FDB2670

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB2570

FDB2570

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3652-F085

FDB3652-F085

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3682

FDB3682

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB38N30U

FDB38N30U

Apraksts: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

Apraksts: INTEGRATED CIRCUIT

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3672-F085

FDB3672-F085

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3632

FDB3632

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3652

FDB3652

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB390N15A

FDB390N15A

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3860

FDB3860

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB3672

FDB3672

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Apraksts: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB4020P

FDB4020P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB2572

FDB2572

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Ražotāji: Fairchild/ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB2710

FDB2710

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.