Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FCP20N60
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3898489

FCP20N60

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$7.55
10+
$6.745
100+
$5.531
500+
$4.479
1000+
$3.777
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FCP20N60
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.FCP20N60.pdf
    2.FCP20N60.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220-3
  • Sērija
    SuperFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    208W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    FCP20N60_NL
    FCP20N60_NL-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    3080pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    98nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    20A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FCP20N60” saistītie produkti.
FCP1913H823G-E4

FCP1913H823G-E4

Apraksts: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H683J-E2

FCP1913H683J-E2

Apraksts: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP20N60FS

FCP20N60FS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H683J

FCP1913H683J

Apraksts: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP220N80

FCP220N80

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 23A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H823G

FCP1913H823G

Apraksts: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H683G-E2

FCP1913H683G-E2

Apraksts: CAP FILM 0.068UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP2416H124G-D1

FCP2416H124G-D1

Apraksts: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP22N60N

FCP22N60N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H823J

FCP1913H823J

Apraksts: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP2416H124G

FCP2416H124G

Apraksts: CAP FILM 0.12UF 2% 50VDC 2416

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H823J-E2

FCP1913H823J-E2

Apraksts: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H683J-E1

FCP1913H683J-E1

Apraksts: CAP FILM 0.068UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP22N60N-F102

FCP22N60N-F102

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP2416H124J-D1

FCP2416H124J-D1

Apraksts: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP2416H124J

FCP2416H124J

Apraksts: CAP FILM 0.12UF 5% 50VDC 2416

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP20N60_F080

FCP20N60_F080

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H823G-E2

FCP1913H823G-E2

Apraksts: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H823J-E4

FCP1913H823J-E4

Apraksts: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP20N60_G

FCP20N60_G

Apraksts: INTEGRATED CIRCUIT

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.