Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FCP190N65S3R0
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6348986

FCP190N65S3R0

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$1.655
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FCP190N65S3R0
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FCP190N65S3R0.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 1.7mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220-3
  • Sērija
    SuperFET® III
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    144W (Tc)
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1350pF @ 400V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    650V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 650V 17A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    17A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FCP190N65S3R0” saistītie produkti.
FCP1913H563G

FCP1913H563G

Apraksts: CAP FILM 0.056UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP190N60

FCP190N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP170N60

FCP170N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0

Apraksts: SUPERFET3 650V TO220 PKG

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H473J

FCP1913H473J

Apraksts: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H473G

FCP1913H473G

Apraksts: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H104G

FCP1913H104G

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP16N60N-F102

FCP16N60N-F102

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP16N60N

FCP16N60N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP16N60

FCP16N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H104J-E2

FCP1913H104J-E2

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H104G-E2

FCP1913H104G-E2

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H473J-E1

FCP1913H473J-E1

Apraksts: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP190N60E

FCP190N60E

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H104G-E3

FCP1913H104G-E3

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1913H104J-E3

FCP1913H104J-E3

Apraksts: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP190N65F

FCP190N65F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP190N65S3

FCP190N65S3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1913H473G-E1

FCP1913H473G-E1

Apraksts: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.