Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FCP11N60N-F102
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5471341

FCP11N60N-F102

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
800+
$1.781
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FCP11N60N-F102
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FCP11N60N-F102.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220F
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    299 mOhm @ 5.4A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    94W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Citi vārdi
    FCP11N60N_F102
    FCP11N60N_F102-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    12 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1505pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    35.6nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220F
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    10.8A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FCP11N60N-F102” saistītie produkti.
FCP104N60F

FCP104N60F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP104N60

FCP104N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 37A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1206C153J

FCP1206C153J

Apraksts: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP0805H821J-J1

FCP0805H821J-J1

Apraksts: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP099N60E

FCP099N60E

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP11N60F

FCP11N60F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1206C153J-H1

FCP1206C153J-H1

Apraksts: CAP FILM 0.015UF 5% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1206C123J

FCP1206C123J

Apraksts: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1206C123J-H1

FCP1206C123J-H1

Apraksts: CAP FILM 0.012UF 5% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP099N65S3

FCP099N65S3

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1206C153G

FCP1206C153G

Apraksts: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1206C153G-H1

FCP1206C153G-H1

Apraksts: CAP FILM 0.015UF 2% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP110N65F

FCP110N65F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 35A TO220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP11N60

FCP11N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP11N60N

FCP11N60N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCP1206C123G

FCP1206C123G

Apraksts: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1206C183G

FCP1206C183G

Apraksts: CAP FILM 0.018UF 2% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP0805H821J

FCP0805H821J

Apraksts: CAP FILM 820PF 5% 50VDC 0805

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1206C183G-H1

FCP1206C183G-H1

Apraksts: CAP FILM 0.018UF 2% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
FCP1206C123G-H1

FCP1206C123G-H1

Apraksts: CAP FILM 0.012UF 2% 16VDC 1206

Ražotāji: Cornell Dubilier Electronics
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.