Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > DSK10C-ET1
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1392213DSK10C-ET1 attēlsON Semiconductor

DSK10C-ET1

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DSK10C-ET1
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Spriegums - sadalījums
    -
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    R-1 (Axial)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    DSK10C-ET1
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Diode konfigurācija
    10µA @ 200V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    200V
  • Ietilpība @ Vr, F
    150°C (Max)
DSK10E

DSK10E

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK10C

DSK10C

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
1N4446 TR

1N4446 TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Ražotāji: Central Semiconductor
Noliktavā
MSE1PG-M3/89A

MSE1PG-M3/89A

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Apraksts: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Apraksts: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Ražotāji: Elna America
Noliktavā
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Apraksts: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Apraksts: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Ražotāji: Elna America
Noliktavā
DSK10B

DSK10B

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Apraksts: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Ražotāji: Elna America
Noliktavā
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Ražotāji: ON Semiconductor
Noliktavā
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Apraksts: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Ražotāji: Elna America
Noliktavā
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Apraksts: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Apraksts: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Ražotāji: Elna America
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu