Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > BS108G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3400805

BS108G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BS108G
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BS108G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-92-3
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 2.8V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    350mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    150pF @ 25V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2V, 2.8V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BS108G” saistītie produkti.
BS120

BS120

Apraksts: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BS107G

BS107G

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BS107PSTZ

BS107PSTZ

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BS107P

BS107P

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BS12I-MC

BS12I-MC

Apraksts: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
BS108,126

BS108,126

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
BS12I

BS12I

Apraksts: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
BS108/01,126

BS108/01,126

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
BS12T

BS12T

Apraksts: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
BS12I-NICAD

BS12I-NICAD

Apraksts: NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BS120E0F

BS120E0F

Apraksts: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
BS12T-HD

BS12T-HD

Apraksts: 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
BS12I-22

BS12I-22

Apraksts: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
BS108ZL1G

BS108ZL1G

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BS107AG

BS107AG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Apraksts: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Ražotāji: MPD (Memory Protection Devices)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.