Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BAS19LT1G
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5497223BAS19LT1G attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAS19LT1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.02
6000+
$0.018
15000+
$0.016
30000+
$0.014
75000+
$0.013
150000+
$0.011
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BAS19LT1G
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BAS19LT1G.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.25V @ 200mA
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    120V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Ātrums
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    50ns
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    BAS19LT1GOSTR
  • Darba temperatūra - savienojums
    -55°C ~ 150°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    36 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 120V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    100nA @ 100V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    200mA (DC)
  • Ietilpība @ Vr, F
    5pF @ 0V, 1MHz
  • Bāzes daļas numurs
    BAS19

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BAS19LT1G” saistītie produkti.
BAS19WTR

BAS19WTR

Apraksts: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT323

Ražotāji: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Noliktavā
RFQ
BAS20 RFG

BAS20 RFG

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BAS19-G3-08

BAS19-G3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAS19LT1

BAS19LT1

Apraksts: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS19-E3-08

BAS19-E3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAS19-HE3-08

BAS19-HE3-08

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAS19-7-F

BAS19-7-F

Apraksts: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAS19LT3G

BAS19LT3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS20

BAS20

Apraksts: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS19-HE3-18

BAS19-HE3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAS19_S00Z

BAS19_S00Z

Apraksts: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BAS19W RVG

BAS19W RVG

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BAS19WT-TP

BAS19WT-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Ražotāji: Micro Commercial Components (MCC)
Noliktavā
RFQ
BAS19-7

BAS19-7

Apraksts: DIODE GP 100V 200MA SOT23-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAS19-G3-18

BAS19-G3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAS19W-7

BAS19W-7

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
BAS20,215

BAS20,215

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
BAS19-E3-18

BAS19-E3-18

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BAS19-TP

BAS19-TP

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23

Ražotāji: Micro Commercial Co
Noliktavā
RFQ
BAS19W-7-F

BAS19W-7-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.