Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > 3LN01C-TB-H
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
24125543LN01C-TB-H attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-H

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    3LN01C-TB-H
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    3LN01C-TB-H.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    3-CP
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    250mW (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.5V, 4V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “3LN01C-TB-H” saistītie produkti.
IXTC75N10

IXTC75N10

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRL3803STRRPBF

IRL3803STRRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXFH36N60P

IXFH36N60P

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FDZ298N

FDZ298N

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 6A BGA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
DMP2021UFDF-7

DMP2021UFDF-7

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IRFHM4231TRPBF

IRFHM4231TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1

Apraksts: COOLMOS P7 800V SOT-223

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
PHD36N03LT,118

PHD36N03LT,118

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
FQAF6N80

FQAF6N80

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2N7225

2N7225

Apraksts: MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
STB7NK80Z-1

STB7NK80Z-1

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 135A

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
3LN01C-TB-E

3LN01C-TB-E

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.