Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > 2SJ652-1E
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
27241942SJ652-1E attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SJ652-1E

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$2.32
50+
$1.874
100+
$1.687
500+
$1.312
1000+
$1.087
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    2SJ652-1E
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    2SJ652-1E.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220F-3SG
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38 mOhm @ 14A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    2W (Ta), 30W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3 Full Pack
  • Citi vārdi
    2SJ652-1E-ND
    2SJ652-1EOS
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    7 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4360pF @ 20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    60V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 60V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    28A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “2SJ652-1E” saistītie produkti.
2SJ652-RA11

2SJ652-RA11

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ648-T1-A

2SJ648-T1-A

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ599(0)-ZK-E1-AY

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ599(0)-Z-E2-AZ

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ652

2SJ652

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 28A TO-220ML

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ601(0)-Z-E1-AZ

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ665-DL-E

2SJ665-DL-E

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ661-1E

2SJ661-1E

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 38A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ661-DL-E

2SJ661-DL-E

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ656

2SJ656

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 18A TO-220ML

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ661-DL-1EX

2SJ661-DL-1EX

Apraksts: MOSFET P-CH D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ661-DL-1E

2SJ661-DL-1E

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 38A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ598(0)-Z-E1-AZ

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ665-DL-1EX

2SJ665-DL-1EX

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 27A TO263

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ649-AZ

2SJ649-AZ

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ599(0)-Z-E1-AZ

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

Apraksts: TRANSISTOR

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
2SJ661-1EX

2SJ661-1EX

Apraksts: MOSFET P-CH I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
2SJ610(TE16L1,NQ)

2SJ610(TE16L1,NQ)

Apraksts: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SJ652-1EX

2SJ652-1EX

Apraksts: MOSFET P-CH TO-220FP-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.