Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > 1HN04CH-TL-W
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
37604151HN04CH-TL-W attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
3000+
$0.214
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1HN04CH-TL-W
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1HN04CH-TL-W.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    3-CPH
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 140mA, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    -
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Citi vārdi
    1HN04CH-TL-W-ND
    1HN04CH-TL-WOSTR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    11 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    15pF @ 20V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    0.9nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 270mA (Ta) Surface Mount 3-CPH
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    270mA (Ta)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1HN04CH-TL-W” saistītie produkti.
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FDD6296

FDD6296

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A D-PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF7410GTRPBF

IRF7410GTRPBF

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
TN2106K1-G

TN2106K1-G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology
Noliktavā
RFQ
SI5479DU-T1-GE3

SI5479DU-T1-GE3

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 16A CHIPFET

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IXFH16N120P

IXFH16N120P

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRL3502STRLPBF

IRL3502STRLPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FQP8N60C

FQP8N60C

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXFR80N20Q

IXFR80N20Q

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
SKI03087

SKI03087

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263

Ražotāji: Sanken Electric Co., Ltd.
Noliktavā
RFQ
NTTFS5C670NLTWG

NTTFS5C670NLTWG

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 16A 8WDFN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPD65R660CFDBTMA1

IPD65R660CFDBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IPA80R600P7XKSA1

IPA80R600P7XKSA1

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NP75P04YLG-E1-AY

NP75P04YLG-E1-AY

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 75A 8HSON

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
SUM110P06-07L-E3

SUM110P06-07L-E3

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 110A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
AOI2N60

AOI2N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2A TO251A

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
STD7LN80K5

STD7LN80K5

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
IRL630PBF

IRL630PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
ZXMP4A16GQTA

ZXMP4A16GQTA

Apraksts: MOSFET P-CH 40V SOT223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
AOT14N50FD

AOT14N50FD

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 14A TO220

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.